خانه
محصولات
تولیدکنندگان
درباره DiGi
با ما تماس بگیرید
وبلاگها و پستها
استعلام/نقل قول
Iran
ورود
زبان انتخابی
زبان جاری انتخابی شما
Iran
تبدیل:
انگلیسی
اروپا
بریتانیا
فرانسه
اسپانیا
ترکیه
مولدووا
لیتوانی
نروژ
آلمان
پرتغال
اسلواکی
ltaly
فنلاند
روسی
بلغارستان
دانمارک
استونی
لهستان
اوکراين
اسلوونی
چک
یونانی
کرواسی
اسرائیل
صربستان
بيلوروسي
هلند
سوئد
مونته نگرو
باسک
ایسلند
بوسنی
مجارستانی
رومانی
اتریش
بلژیک
ایرلند
آسیا / اقیانوسیه
چین
ویتنام
اندونزی
تایلند
لائوس
فیلیپینی
مالزی
کره
ژاپن
هنگ کنگ
تایوان
سنگاپور
پاکستان
عربستان سعودی
قطر
کویت
کامبوج
میانمار
آفریقا، هند و خاورمیانه
امارات متحده عربی
تاجیکستان
ماداگاسکار
هند
ایران
جمهوری دموکراتیک کنگو
آفریقای جنوبی
مصر
کنیا
تانزانیا
غنا
سنگال
مراکش
تونس
آمریکای جنوبی / اقیانوسیه
نیوزیلند
آنگولا
برزیل
موزامبیک
پرو
کلمبیا
شیلی
ونزوئلا
اکوادور
بولیوی
اروگوئه
آرژانتین
پاراگوئه
استرالیا
آمریکای شمالی
ایالات متحده
هائیتی
کانادا
کاستاریکا
مکزیک
درباره DiGi
درباره ما
درباره ما
گواهینامههای ما
DiGi مقدمه
چرا DiGi
سیاست
سیاست کیفیت
شرایط استفاده
مطابقت با RoHS
فرآیند بازگشت
منابع
دسته بندی محصولات
تولیدکنندگان
وبلاگها و پستها
خدمات
ضمانت کیفیت
روش پرداخت
حمل و نقل جهانی
نرخ های حمل و نقل
سوالات متداول
شماره محصول سازنده:
SPB100N03S2-03 G
Product Overview
تولید کننده:
Infineon Technologies
شماره قطعه:
SPB100N03S2-03 G-DG
توضیحات:
MOSFET N-CH 30V 100A TO263-3
شرح مفصل:
N-Channel 30 V 100A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
موجودی:
استعلام قیمت آنلاین
12807516
درخواست قیمت
تعداد
حداقل ۱
*
شرکت
*
نام تماس
*
تلفن
*
ایمیل
آدرس تحویل
پیام
B
i
m
N
(
*
) اجباری است
ما ظرف ۲۴ ساعت با شما تماس خواهیم گرفت
ارسال
SPB100N03S2-03 G مشخصات فنی
دستهبندی
ترانزیستورهای اثر میدان، MOSFETها, ترانزیستورهای تک، مو سفت
تولید کننده
Infineon Technologies
بسته بندی
-
سری
OptiMOS™
وضعیت محصول
Discontinued at Digi-Key
نوع FET
N-Channel
فناوری
MOSFET (Metal Oxide)
تخلیه به منبع جلدtage (Vdss)
30 V
جریان - تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 °C
100A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)
10V
Rds روشن (حداکثر) @ شناسه، Vgs
3mOhm @ 80A, 10V
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه
4V @ 250µA
شارژ گیت (Qg) (حداکثر) @ Vgs
150 nC @ 10 V
Vgs (حداکثر)
±20V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds
7020 pF @ 25 V
ویژگی FET
-
اتلاف برق (حداکثر)
300W (Tc)
دمای عملیاتی
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع نصب
Surface Mount
بسته دستگاه تامین کننده
PG-TO263-3-2
بسته بندی / مورد
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
شماره محصول پایه
SPB100N
برگ اطلاعات و مستندات
برگههای اطلاعاتی
SPB100N03S2-03 G
برگه داده HTML
SPB100N03S2-03 G-DG
اطلاعات بیشتر
نام های دیگر
SP000200140
SPB100N03S2-03G
SPB100N03S2-03 G-DG
SPB100N03S203GXT
بسته استاندارد
1,000
طبقهبندی زیستمحیطی و صادرات
وضعیت RoHS
ROHS3 Compliant
سطح حساسیت به رطوبت (MSL)
1 (Unlimited)
وضعیت REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
مدلهای جایگزین
شماره قسمت
PSMN4R3-30BL,118
تولیدکننده
Nexperia USA Inc.
تعداد موجود
9945
DiGi شماره قطعه
PSMN4R3-30BL,118-DG
قیمت واحد
0.58
نوع جایگزین
MFR Recommended
شماره قسمت
SPB100N03S203T
تولیدکننده
Infineon Technologies
تعداد موجود
4457
DiGi شماره قطعه
SPB100N03S203T-DG
قیمت واحد
1.34
نوع جایگزین
Parametric Equivalent
شماره قسمت
PSMN3R4-30BL,118
تولیدکننده
NXP USA Inc.
تعداد موجود
900
DiGi شماره قطعه
PSMN3R4-30BL,118-DG
قیمت واحد
0.57
نوع جایگزین
MFR Recommended
شماره قسمت
PSMN2R7-30BL,118
تولیدکننده
NXP USA Inc.
تعداد موجود
1450
DiGi شماره قطعه
PSMN2R7-30BL,118-DG
قیمت واحد
0.73
نوع جایگزین
MFR Recommended
گواهی دیجیتال
محصولات مرتبط
IRFL4105TR
MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223
IRLR2705TRLPBF
MOSFET N-CH 55V 28A DPAK
SS07N70AKMA1
MOSFET N-CH
IRLS3034TRLPBF
MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK